هل يمكن اختبار MosFet في الدائرة؟

2024 مؤلف: Lynn Donovan | [email protected]. آخر تعديل: 2023-12-15 23:43

لا توجد طريقة واحدة ل اختبار mosfets (أو حقًا ، أي مكون آخر) في دائرة كهربائية.

في هذا الصدد ، هل تفشل دوائر MOSFET في الفتح أو الإغلاق؟

الإجابة المختصرة هي أنني أتوقع أ موسفيت إلى يفشل ك افتح الدائرة بسبب ظروف أعلى من درجة الحرارة. تقترح مقالة ويكيبيديا هذه ما يلي: زيادة مقاومة indrain-to-source. الكثير من موسفيت تسخين التيارات العالية في الخيوط - والتي يمكن بسهولة إزالة اللحام بدون MOSFET فشل !

قد يتساءل المرء أيضًا ، ما الذي يسبب فشل MosFet؟ ال لانى من هذا بالفشل هو ارتفاع عالي الجهد ، سريع عابر جدًا (والذي قد يكون إيجابيًا سلبيًا). إذا حدث مثل هذا الارتفاع في استنزاف أ موسفيت ، فإنه يقترن من خلال الترانزستورات السعة الداخلية للبوابة. بمجرد أن يحدث ذلك ، فإن موسفيت ينفجر في سحابة من اللهب والدخان.

لذلك ، كيف تختبر الترانزستور في الدائرة؟

اربط السلك الموجب من المتر المتعدد إلى المتر (E) من الترانزستور . قم بتعليق العداد السالب باتجاه BASE (B) في الترانزستور . من أجل NPN جيد الترانزستور ، يجب أن ترى "OL" (OverLimit) اختبارات PNP الترانزستور يجب أن يظهر على العدادات انخفاضًا في الجهد بين 0.45 فولت و 0.9 فولت.

كيف يمكننا اختبار الترانزستور باستخدام المتر التناظري؟

قم بتوصيل طرف القاعدة الخاص بـ الترانزستور إيجابية ملحوظة للطبقة الطرفية (عادة باللون الأحمر) المقياس المتعدد . قم بتوصيل الطرف السالب أو الشائع (عادة ما يكون ملونًا باللون الأسود) بالمجمع و قياس المقاومة. يجب أن تقرأ الدائرة المفتوحة (يجب أن يكون هناك انعكاس للخرز لـ PNP الترانزستور ).